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西安熔斷器
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陜西定制MSD用熔斷器批發(fā)

2022-02-02
陜西定制MSD用熔斷器批發(fā)

由于合閘命令處于保持狀態(tài),接觸器的跳閘回路動(dòng)作后,合閘命令會(huì)再次合閘,致使接觸器多次合跳,結(jié)果造成上一級(jí)開(kāi)關(guān)設(shè)備保護(hù)跳閘,擴(kuò)大事故范圍,造成發(fā)電廠(chǎng)停機(jī)等嚴(yán)重后果。因此在接觸器的控制回路中需配置完善的“防跳”回路。定制MSD用熔斷器測(cè)量、信號(hào)回路。火力發(fā)電廠(chǎng)中對(duì)于F-C回路的信號(hào)和測(cè)量回路要求,回路的設(shè)計(jì)應(yīng)符合D/T5153《火力發(fā)電廠(chǎng)廠(chǎng)用電設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)程》和GB/T50063《電力裝置的電測(cè)量?jī)x表裝置設(shè)計(jì)規(guī)范》有關(guān)的要求。F-C回路的測(cè)量?jī)x表和變送器根據(jù)上述規(guī)范配置。FC回路的電流互感器配置應(yīng)滿(mǎn)足保護(hù)和測(cè)量要求。目前,大多數(shù)F-C的控制回路采用直流控制電源。隨著綜合保護(hù)裝置的逐步發(fā)展,其對(duì)F-C回路的保護(hù)和補(bǔ)充功能越來(lái)越完善,多數(shù)F-C的供電回路均配有綜合保護(hù)裝置。陜西MSD用熔斷器本書(shū)以電動(dòng)機(jī)負(fù)荷為例,給出一種F-C回路典型控制圖(圖5-3典型FC回路控制接線(xiàn)圖)。F-C回路典型控制圖控制電源采用直流110V,具有“防跳”功能及控制電源和跳合閘回路的監(jiān)視功能等,滿(mǎn)足真空接觸器的控制,信號(hào)和測(cè)量回路要求。

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熔化過(guò)程帶有爆炸性,熔化的金屬和蒸汽立即深深地滲入到還處于冷態(tài)的石英砂中去,電弧很快熄滅,這一點(diǎn)正好和前述最大弧能條件相呼應(yīng)。定制MSD用熔斷器當(dāng)預(yù)期電流達(dá)到最大弧能的條件時(shí),熔體元件在熔化前伴隨著各種熱傳導(dǎo),使周?chē)盍蠝囟纫呀?jīng)提高。熔體元件可能在某一處或幾處最薄弱的位置首先熔斷,形成高溫電弧,但周?chē)盍蠝囟容^高,狹縫滅弧進(jìn)行較慢,直到熔化的長(zhǎng)度達(dá)到滅弧的必須的空隙要求,才最終熄弧。操作過(guò)電壓的特點(diǎn)。高壓限流熔斷器在切斷故障的過(guò)程中,在它的端子上將出現(xiàn)瞬態(tài)異常電壓。它可以是峰值弧電壓,也可能是在瞬態(tài)恢復(fù)電壓時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)的電壓。假定燃弧開(kāi)始時(shí),電流方向?yàn)檎仁闺娏飨陆担渥兓试仨殲樨?fù)。出現(xiàn)這種情況,必須是U1大于(e-iR。)。在燃弧開(kāi)始時(shí),這一條件尚不能滿(mǎn)足,電流將繼續(xù)上升一些,然后,電流才開(kāi)始下降。為了盡快使電弧熄滅,陜西MSD用熔斷器兩端電壓必須很大。F-C回路的過(guò)電壓分析,增加熔體元件的槽口數(shù)有助于增加電弧電壓U,因?yàn)檫@將形成幾個(gè)電弧相串聯(lián),但需要注意這種措施也應(yīng)受到一定限制,應(yīng)避免熔斷器兩端產(chǎn)生太高的過(guò)電壓。

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阻容過(guò)電壓吸收器的選擇,阻容過(guò)電壓吸收器由電阻與電容器等元件串聯(lián)組成,是通過(guò)改變開(kāi)斷回路的阻抗參數(shù)來(lái)吸收過(guò)電壓的能量,從理論上來(lái)說(shuō),陜西MSD用熔斷器這是最理想的過(guò)電壓保護(hù)措施。阻容吸收器可聯(lián)接在FC回路斷口之外的負(fù)載側(cè),阻容過(guò)電,研究人員曾進(jìn)行過(guò)阻容過(guò)電壓吸收器的配合試驗(yàn),吸收器的參數(shù)為R=2502,Cb=0.33xF。開(kāi)斷空載電動(dòng)機(jī)共進(jìn)行24相次,截流值由不加吸收器前的21A降到10.5A,過(guò)電壓倍數(shù)不超過(guò)2.33倍相電壓,開(kāi)斷起動(dòng)狀態(tài)電動(dòng)機(jī)也進(jìn)行了24相次,測(cè)試表明,吸收器投入后高頻振蕩持續(xù)時(shí)間縮短,最大過(guò)電壓為4倍相電壓,但出現(xiàn)的幾率由不加吸收器前的76.6%降到3.23%。可見(jiàn)阻容過(guò)電壓吸收器對(duì)開(kāi)斷感應(yīng)電動(dòng)機(jī)的過(guò)電壓具有較好的限制保護(hù)作用。定制MSD用熔斷器針對(duì)中性點(diǎn)不接地系統(tǒng),實(shí)踐表明,用于F-C回路的阻容過(guò)電壓吸收器可以采用與“三叉戟”式避雷器相同的接線(xiàn)方式,可以取相地相間電容約為0.1~0.51F,相地相間電阻值約為100~5002。但是阻容吸收器的投入,也使6kV廠(chǎng)用電系統(tǒng)相對(duì)地電容值增加。以往由于國(guó)內(nèi)發(fā)電機(jī)組的高壓廠(chǎng)用電系統(tǒng)在接地電容電流滿(mǎn)足要求的條件。

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過(guò)電流保護(hù),可滿(mǎn)足變壓器低壓側(cè)三相短路時(shí)的熱穩(wěn)定要求;曲線(xiàn)F相當(dāng)于速斷保護(hù),用于在大的故障電流情況下,迅速切除變壓器。負(fù)序電流保護(hù)。定制MSD用熔斷器一般負(fù)序電流一段保護(hù)作為兩相短路的后備保護(hù)。負(fù)序電流一段保護(hù)電流整定值可按低壓母線(xiàn)兩相短路時(shí)靈敏系數(shù)不低于1.5的條件整定。廠(chǎng)變低壓母線(xiàn)兩相短路電流,折算到高壓側(cè),A。負(fù)序電流一段保護(hù)動(dòng)作時(shí)間t按與低廠(chǎng)變低壓母線(xiàn)進(jìn)線(xiàn)短延時(shí)保護(hù)動(dòng)F-C回路的控制絲熔斷前動(dòng)作。瓦斯保護(hù)。瓦斯保護(hù)是針對(duì)油浸變壓器內(nèi)部故障的一種有效保護(hù),隨著故障的嚴(yán)重程度不同分別作用于發(fā)信號(hào)和跳閘。對(duì)F-C回路供電的油浸變壓器,重瓦斯接點(diǎn)動(dòng)作于跳真空接觸器跳閘。受接觸器額定開(kāi)斷電流的限制,當(dāng)變壓器內(nèi)部故障而使故障電流大于綜合保護(hù)裝置的過(guò)流閉鎖電流時(shí),陜西MSD用熔斷器綜合保護(hù)裝置將閉鎖保護(hù)出口使接觸器不動(dòng)作,由高壓熔斷器來(lái)切除故障。溫度保護(hù)。對(duì)于干式變壓器,可設(shè)置溫度保護(hù),高溫告警,超溫動(dòng)作于真空接觸器跳閘,具體溫度定值一般按變壓器制造廠(chǎng)家要求設(shè)定。

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3~10kV電網(wǎng)的中性點(diǎn)接地方式包括傳統(tǒng)的不接地或經(jīng)消弧線(xiàn)圈接地,以及電阻接地等多種接地方式。要確定電網(wǎng)的接地方式,必須綜合考慮供電安全可靠性和連續(xù)性、配電網(wǎng)和線(xiàn)路結(jié)構(gòu)、過(guò)電壓保護(hù)和絕緣配合、繼電保護(hù)構(gòu)成和跳閘方式、設(shè)備安全和人身安等諸多因素。定制MSD用熔斷器下面簡(jiǎn)要介紹幾種常用的接地方式及其對(duì)過(guò)電壓的影響。3~10kV電網(wǎng)的中性點(diǎn)接地方式可以簡(jiǎn)單的歸納為單相故障時(shí)不(延時(shí))跳閘和(立即)跳閘兩種類(lèi)型。單相接地不跳閘的中性點(diǎn)接地方式包括不接地、經(jīng)消弧線(xiàn)圈接地和高電阻接地。過(guò)去國(guó)內(nèi)3~10kV電網(wǎng)大多采用這些接地方式,但隨著我國(guó)城鄉(xiāng)電網(wǎng)電纜線(xiàn)路逐漸代替架空線(xiàn)和火力發(fā)電廠(chǎng)機(jī)組容量增大引起的電纜長(zhǎng)度大幅增加,我國(guó)的3~10kV電網(wǎng)的中性點(diǎn)采用不接地或消弧線(xiàn)圈接地方式的做法已經(jīng)不能滿(mǎn)足電力工業(yè)建設(shè)發(fā)展和城市電網(wǎng)擴(kuò)充改造的需要。實(shí)踐證明,單相接地故障不立即跳閘的接地方式,陜西MSD用熔斷器有利于提高供電連續(xù)性特別適合于故障幾率高、絕緣可自行恢復(fù)的以架空線(xiàn)路為主的配電網(wǎng),如農(nóng)村和中小城市供電網(wǎng)。

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火力發(fā)電廠(chǎng)中對(duì)不要求自起動(dòng)的Ⅱ、Ⅲ類(lèi)電動(dòng)機(jī)和不能自起動(dòng)的電動(dòng)機(jī)一般設(shè)置0.5時(shí)限的低電壓保護(hù);陜西MSD用熔斷器對(duì)于1類(lèi)電動(dòng)機(jī),當(dāng)裝有自動(dòng)投入的備用機(jī)械時(shí),或未保證人身和設(shè)備安全,在電源電壓長(zhǎng)時(shí)間消失后須自動(dòng)切除時(shí),均應(yīng)裝設(shè)9-10s的低電壓保護(hù)。F-C回路中低電壓保護(hù)構(gòu)成方法如下:一是對(duì)真空接觸器由直流或直接由交流220V控制情況,由接于F-C柜上的綜合保護(hù)裝置通過(guò)檢測(cè)來(lái)自于母線(xiàn)TV的電壓信號(hào)實(shí)現(xiàn),接點(diǎn)作用于接觸器跳閘;二是對(duì)接觸器通過(guò)降壓變壓器(由一次回路直接降壓)交流控制情況,電保持型的真空接觸器本身具有低電壓保護(hù)功能,機(jī)械保持型的真空接觸器仍由接于F-C柜上的綜合保護(hù)裝置通過(guò)檢測(cè)來(lái)自于母線(xiàn)TV的電壓信號(hào)實(shí)現(xiàn)。定制MSD用熔斷器由綜合保護(hù)裝置實(shí)現(xiàn)的低電壓保護(hù)設(shè)為兩段。低壓電保護(hù)一段動(dòng)作電壓為動(dòng)作時(shí)限為9s。式中Un為系統(tǒng)的額定電壓。斷相(不平衡)運(yùn)行保護(hù)。FC回路故障時(shí),由于熔斷器可能出現(xiàn)單相熔斷,為防止三相電壓不平衡的危害,F(xiàn)C回路需裝設(shè)此保護(hù)。目前F-C開(kāi)關(guān)柜所采用的熔斷器均要求配撞擊器,撞擊器可實(shí)現(xiàn)上述保護(hù)撞擊器的作用是熔斷器熔斷時(shí)立即動(dòng)作聯(lián)跳接觸器,避免設(shè)備非全相運(yùn)行。

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